牙膏级二氧化硅DENTSIL DS-60的气相法生产流程

原料汽化：将高纯度四氯化硅（SiCl₄，纯度≥99.99%）加热至 100-150℃汽化，与干燥的空气（或氧气）、氢气按比例混合（氢气作为燃料，空气作为氧化剂）。

高温反应：混合气体通入高温水解炉（温度 1000-1200℃），发生反应：SiCl₄ + 2H₂ + O₂ → SiO₂ + 4HCl，生成的二氧化硅以极细的气态颗粒形式存在。

冷却与收集：反应产物进入冷却器（温度降至 200-300℃），气态二氧化硅颗粒逐渐团聚成纳米级粉末，再通过袋式过滤器收集。

脱酸与改性：收集的粉末需经过脱酸处理（去除残留的 HCl，避免牙膏 pH 值异常），部分产品还需进行表面改性（如用硅烷偶联剂处理，提升与牙膏中油脂成分的相容性）。

质量检测与包装：同沉淀法，重点检测粒径分布（10-50nm）、比表面积（300-600m²/g）及纯度（SiO₂≥99.8%），确保符合高端牙膏需求。